고속충전 성능을 높이려 할 때 리튬 플레이팅 외에 부딪히는 물리적 한계는 무엇이며, 셀 설계와 충전 프로파일 측면에서 어떻게 접근하시겠어요?

고속충전의 한계는 크게 세 가지입니다. 첫째, 전류가 커지면 음극 분극이 커져 전위가 리튬 대비 0V 이하로 내려가 금속 리튬이 석출됩니다. 둘째, 두꺼운 고에너지 전극에서는 전해액 상 이온 확산이 율속이 되어 전극 두께 방향으로 반응 불균일이 생기고, 분리막 쪽 표면만 과리튬화됩니다. 셋째, 저항 발열로 온도가 올라가면 SEI 성장과 전해액 분해가 가속되고 셀 내 온도 편차가 열화 편차로 남습니다. 대응은 전극을 얇고 저굴곡도로 설계하고 입자 소경화·구배 압연으로 확산 경로를 줄이며, N/P ratio와 음극 로딩을 여유 있게 잡는 것입니다. 운용 측면에서는 SOC가 올라갈수록 전류를 낮추는 다단 CC나 음극 전위를 추정해 상한 전류를 제어하는 방식이 효과적입니다.