MOSFET의 기본 구조를 구성 요소별로 설명하고, 게이트 전압에 따라 채널이 형성되는 과정을 말씀해 주세요.

MOSFET은 게이트, 게이트 절연막, 소스와 드레인, 그리고 바디로 구성됩니다. NMOS를 예로 들면 P형 바디에 N형 소스와 드레인이 있고 그 사이 표면이 채널 영역입니다. 게이트에 양의 전압을 걸면 표면의 정공이 밀려나 공핍층이 생기고, 전압이 더 커져 문턱전압을 넘으면 표면에 전자가 모여 반전층, 즉 채널이 형성됩니다. 이때 드레인 전압을 걸면 소스에서 드레인으로 전류가 흐르며, 게이트는 절연막 때문에 전류가 흐르지 않고 전계로만 채널을 제어합니다.