EUV 도입이 실제 공정 인테그레이션에서 바꾼 점을 멀티패터닝 대비 관점에서 설명하고, EUV 특유의 확률적(stochastic) 결함 문제는 왜 생기는지 말씀해 주세요.

EUV는 파장이 13.5nm로 짧아 한 번 노광으로 기존 ArF 멀티패터닝이 필요하던 피치를 구현합니다. 그 결과 LELE나 SADP 같은 반복 노광·식각 스텝이 줄어 마스크 수, 오버레이 오차 누적, 공정 스텝과 사이클 타임이 감소하고 CD 균일도 관리가 단순해집니다. 다만 광자 에너지가 커서 같은 노광량에서 도달하는 광자 수가 적기 때문에 샷 노이즈가 커지고, 레지스트 내 광산 발생과 확산의 통계적 요동으로 미결상 콘택트나 브리지 같은 확률적 결함, LER/LWR 증가가 나타납니다. 해상도·감도·LER은 서로 상충하는 관계라 레지스트 재료와 노광량 최적화가 핵심입니다.