ALD와 CVD의 차이를 반응 방식과 단차 피복성 관점에서 설명하고, ALD가 반드시 필요한 막의 예를 들어 주세요.

가장 큰 차이는 반응 방식입니다. CVD는 여러 전구체를 동시에 공급해 기상·표면 반응으로 연속 증착하므로 속도가 빠르지만 두께 균일도와 고종횡비 피복성이 상대적으로 떨어집니다. ALD는 전구체와 반응가스를 퍼지로 분리해 번갈아 공급하고, 표면이 포화되면 반응이 멈추는 자기제한 반응을 이용해 사이클당 원자층 수준으로 두께를 제어합니다. 덕분에 종횡비가 큰 구조에서도 컨포멀한 막을 얻을 수 있어 게이트 High-k 유전막, DRAM 커패시터 유전막, 3D NAND 채널홀 계열 박막처럼 얇고 균일해야 하는 막에 씁니다. 대신 증착 속도가 느려 생산성이 단점입니다.