노광 해상도를 결정하는 요소를 Rayleigh 식과 함께 설명하고, EUV가 도입된 이유를 말씀해 주세요.

해상도는 R=k1·λ/NA로 표현되어 파장이 짧고 개구수가 클수록, 공정 계수 k1이 작을수록 미세 패턴이 가능합니다. DUV ArF는 193nm이고 물을 매질로 쓰는 이머전으로 실효 NA를 1.35까지 올렸지만, 그 이상은 위상시프트마스크, OPC, 멀티패터닝 같은 k1 축소 기법에 의존해야 해서 공정 수와 오버레이 부담이 커집니다. EUV는 파장이 13.5nm로 한 자릿수 수준이라 단일 노광으로 미세 패턴을 구현할 수 있어 마스크 수와 공정 스텝을 줄일 수 있습니다. 다만 NA를 키우면 초점심도가 λ/NA²에 비례해 줄어들어 평탄도 관리가 더 중요해집니다.