이온주입에서 주입 에너지와 도즈량이 각각 무엇을 결정하고, 채널링(Channeling) 현상은 왜 문제가 되는지 설명해 주세요.

주입 에너지는 이온이 실리콘 내부로 들어가는 깊이, 즉 투사거리 Rp를 결정하고, 도즈량은 단위 면적당 주입되는 이온 수로 도핑 농도와 시트저항을 결정합니다. 채널링은 이온이 결정 격자의 열린 방향으로 들어가 충돌이 거의 없이 예상보다 깊게 박히는 현상인데, 접합 깊이가 깊어지고 프로파일 꼬리가 생겨 단채널 효과와 특성 산포를 유발합니다. 대책으로는 웨이퍼를 7도 정도 기울여 주입하는 틸트, 얇은 스크린 산화막 사용, 사전 비정질화 주입 등을 씁니다.