MOSFET의 오프 상태 누설전류 경로를 종류별로 설명하고, 저전력 소자에서 이를 줄이기 위한 방법을 말씀해 주세요.

오프 누설은 크게 세 가지 경로입니다. 첫째 서브스레숄드 누설로, Vgs가 Vth보다 낮아도 확산에 의해 흐르며 Vth를 낮추거나 DIBL이 커지면 급격히 증가합니다. 둘째 게이트 누설로, 산화막이 2nm 이하로 얇아지면 직접 터널링이 일어납니다. 셋째 접합 누설과 GIDL로, 역바이어스 접합의 생성-재결합이나 게이트-드레인 중첩부의 높은 전계에서 발생합니다. 대책은 SiO2 대신 High-k로 물리 두께를 확보해 터널링을 줄이고, 멀티 Vth와 파워 게이팅으로 서브스레숄드 성분을 관리하며, 게이트-드레인 중첩과 접합 도핑 기울기를 완화하는 것입니다.